製品情報> IR LED.> ハイパワーIRLED> 770NM高出力LED 3WシングルチップSMD
770NM高出力LED 3WシングルチップSMD
770NM高出力LED 3WシングルチップSMD
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    • ポート: SHENZHEN
    供給能力と追加情報
    Additional Information

    包装カートンボックス

    生産高1000000000 pcs/week

    輸送方法Ocean,Land,Air

    原産地中国

    についてのサポート7000000000 pcs/week

    認証 GB/T19001-2008/ISO9001:2008

    HSコード8541401000

    ポートSHENZHEN

    お支払い方法の種類T/T,Paypal

    インコタームズFOB,EXW,FCA

    製品の属性

    モデル2835FIRC77L42I1A

    ブランド最高のLED

    供給タイプ元のメーカー

    参考資料データシート

    原産地中国

    導いた

    パッケージ型式表面実装

    電力-最大3W

    Emitting DirectionTop view

    Side View LED Beam Angle120°

    Base MaterialCopper

    Inner PackingAnti-static Bag

    CertificationRoHs

    Chip MaterialAIGaInP

    Current1000mA

    Emitting ColorDeep Red (Dim)

    Size Of SMD LED2.8x3.5mm

    Wavelength770nm(±10nm)

    梱包と配送
    販売単位: Piece/Pieces
    パッケージ型式: カートンボックス
    会社のビデオ
    高出力IR LED SMD生産
    製品の説明

    IR LEDとは何ですか?

    それは大きな質問です。私たちの工場で利用可能なIR LEDは、680nmから1550nmです。要約すると、赤外線を放出する固体照明装置です。 IR LEDにより、赤外線の安価で効率的な生産が可能になります。工場では、波長の放射範囲は680nmから1550nmです。 SMD LED IR LEDランプまたはLEDランプタイプのIR LEDに関係なく、これらはすべて、テレビ用のリモートコントロール、CCTVカメラ、赤外線セキュリティシステムECTなど、多くの種類のElectronCで役立ちます。一方、IR LEDはさまざまな種類のセンサーと組み合わせて使用​​できますが、マシンツーマシン環境やインターネットのもののいくつかのアプリケーションで、この小さなものをより簡単に見ることができます。

    2835FIRC77L42I1A 770nm High Power LED 3W Single Chip SMD



    770NM高出力LED 2835 LEDサイズ:

    Size of 2835FIRC77L42I1A 770nm High Power LED 3W Single Chip SMD

    電気パラメーター:

    Parameter

    Symbol

    Rating

    Unit

    Reverse Voltage

    VR

    5

    V

    Junction Temperature

    Tj

    100

    Operating Temperature

    Topr

    -40 - +80

    Storage Temperature

    Tstg

    -40 - +100

    Soldering Temperature

    Tsol

    245

    Electro-Stati-Discharge(HBM)

    ESD

    1000

    V

    Service lige under normal conditions

    Time

    60000

    H

    Warranty

    Time

    2

    Years

    Antistatic bag

    Piece

    4000

    Bag

    *パルスフォワード電流confition:義務1%とパルス幅= 10us。

    *はんだ付けの自信:はんだ付けの自信は、260の3秒で3つのセコンで完了する必要があります。


    Parameter
    Symbol
    Rating
    Unit
    Forward Current
    IF 1000 mA
    Forward Voltage
    V 1.6-1.8V V
    Luminous Intensity
    IV 1000-1200 mw
    Wavelength
    λP
    770nm nm
    Packing
    Piece 4000 reel
    Vewing angle
    2θ1/2
    120 Deg

    *発光強度はZWL600で測定されます。

    *λDはCIE色の図に由来し、デバイスの色を定義する単一の波長を表します。


    SMDの生産LED 2835 LED:

    SMD LED prduction process IR LED Infrared LED


    処理予防措置:

    硬くて脆いエポキシカプセル剤と比較して、シリコンはより柔らかく柔軟であり、その特徴は熱応力を大幅に減らし、骨膜の機械的力による損傷を受けやすくなります。その結果、シリコンカプセル化されたLED製品を使用して、アセンブリ中に特別な取り扱い注意事項を観察する必要があります。遵守しないと、LEDの損傷や早期障害につながる可能性があります

    1.鉗子または適切なツールを使用して、側面に沿ってコンポーネントを処理します。

    HANDLING PRECAUTIONS 2



    2、シリコンレンズの表面に直接触れたり、処理したりしないでください。内部回路に損傷を与える可能性があります。

    HANDLING PRECAUTIONS 1



    3、露出したLEDを含む組み立てられたPCBを一緒にスタックしないでください。衝撃は、シリコンレンズを傷つけたり、内部回路を損傷する場合があります。

    HANDLING PRECAUTIONS 3



    4、4-A SMDピックアップノズルの内径は、空気の漏れを防ぐためにLEDのサイズを超えてはなりません。

    ピックアップ中にLED表面のドラッチまたは損傷を避けるために、ノズルチップには4-BAプリブル材料が提案されています。

    4-Cコンポーネントの次元は、正確なピックアップを保証し、生産中の損傷を避けるために、ピックアンドプレイスマシンで正確にプログラムする必要があります。

    4-Dシリコンカプセル化はガスに対して透過性があり、H2Sなどの腐食性物質の中には、鉛枠の銀色のプレーションを腐食させる可能性があります。シリコンカプセル化のLEDがそのような物質の近くで使用される場合は、特別な注意を払う必要があります。

    HANDLING PRECAUTIONS 4



    5、凝縮湿気環境への暴露を継続して、Ambiemt温度の繰り返し遷移から製品を遠ざけてください。

    6、元の密閉パッケージの製品は、開口部から24時間以内に組み立てることをお勧めします。

    Single color right angle LEDs





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