3Shenzhen Best LED Opto-electronic Co.,Ltd は 770nm LED(±10nm) の在庫を提供しています。 760-770nm、770-780nm の波長範囲の IR LED はすべて、Best LED 工場で入手できます。 3528FIRC-77L/14I100 は、GaAlAs on GaAs 技術の高効率赤外線発光ダイオードで、透明な白色透明着色プラスチック パッケージで成形されています。 1.8-2.5 の電圧と 100mA の電流で動作することができます。 770nm LED は、植物育成や医療用検出装置に広く使用されています。 ma 標準の GaAs on GaAs 技術と比較して、これらのエミッタは、同様の波長で 100 % 以上の放射パワーの改善を実現します。したがって、これらのエミッターは、標準エミッターの高性能代替品として理想的です。すべての IR LED、UV LED、および可視 LED は、ROHS REACH、EN62471、LM80 基準を満たすことができます。

-寸法パラメータ -

これらの SMD LED ケースは、IR LED、UV LED、ブルー SMD LED、レッド SMD LED、アンバー LED などにも利用できます。

- 発光色 -

- 電気的パラメータ -

Ta=25 ℃での絶対最大定格

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	270mW
Pulse Forward Current	IFP	350mA
Forward Current	IF	100mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	2000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	2000Back
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

光学的および電気的特性 ( T c =25 ℃ )

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	1.8		2.5	V	IF=100mA
Pulse Forward Voltage	VF		3		V	IFP=350mA
Radiant Intensity	IE	40		60	mw/sr	IF=100mA
Peak Wavelength	λP	760	770	780	nm	IF=100mA
Total Radiated Power	PO		5.0		mw	IF=100mA
Half Width	Dl		50		nm	IF=100mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±60		deg	IF=100mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
Rise Time	Tr		25		ns	IF=100mA
Fall Time	Tf		13		ns	IF=100mA
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

- 770nm LED -

- 金線接続 -

* LEDの長寿命を維持するために、BestLED工場は内部回路接続に高純金ワイヤーを使用しています

- 梱包 -

※リールとしてテープで巻いた後、真空パックにて梱包致します。

-応用-

- 関連LED -

- 制作 -

- 使用する -