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800nm赤外線エミッタ3528 SMD LEDパッケージ

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ポート: SHENZHEN

供給能力と追加情報

Additional Information

包装: カートンボックス

生産高: 1000000000 pcs/week

輸送方法: Ocean,Land,Air

原産地: 中国

についてのサポート: 7000000000 pcs/week

認証 : GB/T19001-2008/ISO9001:2008

HSコード: 8541401000

ポート: SHENZHEN

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製品の属性

モデル: 3528FIRC-80L/14I100

ブランド: 最善のLED.

LED Packaging Type: Chip

Chip Material: Algainp

Beam Angle: 120°

Base Material: Copper

Life: 100000h

Certification: Ce

Current: 20ma

Polarity: Common Anode

Emitting Color: Rgb

Inner Packing: Anti-Static Bag

Power: 0.06w

LED Chips: Tyntek

Voltage: 1.9-3.6v

梱包と配送

販売単位:	Piece/Pieces
パッケージ型式:	カートンボックス

製品の説明

- 3528 SMD LED -

3528FIRC-80L / 14I100

800nm LED、810nm LED、および805nm LEDは実際には同じ波長の範囲です。 800nm赤外線LEDは、それが作業しているときに赤いスポットライトを発することができる赤外線LEDです。 INBEST LED工場、IRシリーズは含まれています： 660nm 680nm 740nm 750nm 760nm 770nm 780nm 850nm 870nm 905nm 940nm 950nm 970nm 940nm 90nm 1020nm 1550nm 1550nm ect。この3528Firc-80L / 14I100は、GaAs材料上のGaAlAS上の高効率赤外線放射ダイオードベースであり、明確で白い透明な色合いプラスチックパッケージで成形されています。GaAs技術上の標準GaAsとの比較これらのエミッタは、100％以上の放射電力の改善を達成します。同様の波長。低電流および高パルス電流における順方向電圧は、標準技術の低値にほぼ対応する。これらのエミッタは、標準的なエミッタの高性能な交換として理想的には適しています。高温性能と安定性のために、これらのIR LEDはLED市場で人気があります。

800nm IR LED - 3528 SMD LED case

- Size: 3.5*2.8*1.9mm

- Chip Number: 1 chips

- Color: 800nm LED

- Type: Surface mount device

- Chip brand: tyntek

- Different color are available

- Different wavelength are available

- Warranty: 5 Years

- RoHS, REACH, EN62471

- Uniform light output

- Long life-solid state reliability

- Low Power consumption

-Anti UV epoxy resin package

-High temperature resistance

-ディメンションパラメータ -

これらのSMD LEDケースは、IR LED、UV LED、BLUE SMD LED、RED SMD LED、アンバーLEDのECTにもご利用いただけます。

- 分解色

電気パラメータ -

TA = 25 ℃での絶対最大定格

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	250mW
Pulse Forward Current	IFP	350mA
Forward Current	IF	100mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	2000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	4000Back
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

光学的および電気的特性（ T C = 25 ℃ ）

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	1.7		2.5	V	IF=100mA
Pulse Forward Voltage	VF		2.9		V	IFP=350mA
Radiant Intensity	IE	40		60	mw/sr	IF=100mA
Peak Wavelength	λP	800	805	810	nm	IF=100mA
Total Radiated Power	PO		4.8		mw	IF=100mA
Half Width	Dl		50		nm	IF=100mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±60		deg	IF=100mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
Rise Time	Tr		25		ns	IF=100mA
Fall Time	Tf		13		ns	IF=100mA
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

- 800nm LED -

- ゴールド線接続 -

* LEDの長い寿命の一人一人を保つために、魅力的な工場は内部回路接続のために高い純粋な金線を使用します
- パッキング -

*リールとしてテープテープ後に掃除機梱包でパッケージ

-応用-

IR LED800nm

- 関連するLED -

Infrared LED - SMD LED 800nm

- 製造-

Production Process of LED

- つかいます -

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Category: 3528 SMD LED